近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局公布了第二十三屆中國專利獎獲獎名單，其中新葡京平臺微電子申報的“功率器件及其制造方法”（專利號：ZL201610941707.1）發(fā)明專利榮獲第二十三屆中國專利優(yōu)秀獎。
本次評選采用項目推薦方式，以高質(zhì)量發(fā)展為導(dǎo)向，優(yōu)先推薦基礎(chǔ)研究、應(yīng)用基礎(chǔ)研究、突破關(guān)鍵技術(shù)難題等方面形成的核心專利，貫徹《中國專利獎評獎辦法》和《國家知識產(chǎn)權(quán)局關(guān)于評選第二十三屆中國專利獎的通知》，鼓勵和表彰為技術(shù)創(chuàng)新和經(jīng)濟社會發(fā)展作出突出貢獻的專利權(quán)人和發(fā)明人。
長期以來，新葡京平臺微電子注重知識產(chǎn)權(quán)的保護和積累，截止2021年12月31日，已申請國內(nèi)專利2100余項、國外專利30余項，2021年新增自主研發(fā)的專利近200余項。該專利公開的功率器件包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底上的第一摻雜區(qū)；位于第一摻雜區(qū)的第一區(qū)域中的多個第二摻雜區(qū)；以及位于第一摻雜區(qū)的第二區(qū)域中的多個第三摻雜區(qū)。在不增加任何工藝復(fù)雜度和成本的基礎(chǔ)上，通過調(diào)整第一電荷補償結(jié)構(gòu)和第二電荷補償結(jié)構(gòu)中的P型摻雜區(qū)的摻雜濃度，兼顧提高功率器件的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的要求。
